作业帮一根变长分别为a,b,c,(a>b>c)的矩形截面长棒,由半导体锑化铟制成,棒中有平行于a边的电流I通过,该棒置于匀强磁场B中,B垂直于a,c边.电流I产生的磁场忽略不计,产生的电流的载离子为电子.在只有
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/11 01:32:41
一根变长分别为a,b,c,(a>b>c)的矩形截面长棒,由半导体锑化铟制成,棒中有平行于a边的电流I通过,该棒置于匀强磁场B中,B垂直于a,c边.电流I产生的磁场忽略不计,产生的电流的载离子为电子.在只有
一根变长分别为a,b,c,(a>b>c)的矩形截面长棒,由半导体锑化铟制成,棒中有平行于a边的电流I通过,该棒置于匀强磁场B中,B垂直于a,c边.电流I产生的磁场忽略不计,产生的电流的载离子为电子.在只有电场存在时,电子在半导体中的平均速度v=μE,其中μ称为电子迁移率.
（1）确定棒中存在上述电流的总店长的大小和方向
一根变长分别为a,b,c,(a>b>c)的矩形截面长棒,由半导体锑化铟制成,棒中有平行于a边的电流I通过,该棒置于匀强磁场B中,B垂直于a,c边.电流I产生的磁场忽略不计,产生的电流的载离子为电子.在只有
咳咳.
简单题嘛.
是霍尔效应的题
电子载流子流动过程中,除了沿电流方向存在电场E平行的分量外,在沿C边方向存在平衡洛伦兹力的电场E垂直分量.电场方向与电流负方向的夹角为θ,并偏向夹C边两侧面的正电势一面,利用I=nev*bc 和 v=μE 可得E平行的表达式
再利用洛伦兹力evB与横向电场力eE 平衡得 E垂直
综上 算出总电场 （矢量）
第十六届国际中学生物理奥林匹克竞赛试题(理论部分)
〔解〕如图16-3所示，电子沿a边的运动，将使其受到洛仑兹力evB的作用,这样电子将具有沿b方向运动分量，并在样品两侧有电荷积累，形成与洛仑 兹力相抵的电场力，这样有
E⊥e=evB，即E⊥=vB
而沿a方向的电场分量可由下式求出
v=μE〃，
即 E〃=v/μ
电子的速度可由电流求出 <...
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第十六届国际中学生物理奥林匹克竞赛试题(理论部分)
〔解〕如图16-3所示，电子沿a边的运动，将使其受到洛仑兹力evB的作用,这样电子将具有沿b方向运动分量，并在样品两侧有电荷积累，形成与洛仑 兹力相抵的电场力，这样有
E⊥e=evB，即E⊥=vB
而沿a方向的电场分量可由下式求出
v=μE〃，
即 E〃=v/μ
电子的速度可由电流求出
I=s . j=cbnev，
故 v=I/nebc=25米/秒， 则 E〃=3.2伏/米，E⊥=2.5伏/米。 因此总电场大小为
E==4.06(伏/米)
电场方向如图16-3所示，
tga==3.2/2.5=1.28。
收起
这个题那么简单，连我都……&*（不会(*^__^*) 嘻嘻……