如何定义晶体管串并联等效增益因子

来源：学生作业帮助网编辑：作业帮时间：2024/05/11 23:58:01

如何定义晶体管串并联等效增益因子
如何定义晶体管串并联等效增益因子

如何定义晶体管串并联等效增益因子
1
、
MOS
集成电路的加工包括哪些基本工艺?各有哪些方法和工序?

答：（
1
）热氧化工艺：包括干氧化法和湿氧化法；

（
2
）扩散工艺：包括扩散法和离子注入法；

（
3
）淀积工艺：化学淀积方法：
1
外延生长法；
2
热
CVD
法；
3
等离子
CVD
法；

物理淀积方法：
1
溅射法；
2
真空蒸发法

（
4
）
光刻工艺：
工序包括：
1
涂光刻胶；
2
预烘干；
3
掩膜对准；
4
曝光；
5
显影；
6
后烘干；
7
腐蚀；
8
去胶.

2
、简述光刻工艺过程及作用.

答：（
1
）涂光刻胶：为了增加光刻胶和硅片之间的粘附性,防止显影时光刻胶的脱落,以
及防止湿法腐蚀产生侧向腐蚀；

（
2
）预烘干：以便除去光刻胶中的溶剂；

（
3
）掩膜对准：以保证掩模板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准；

（
4
）曝光：使光刻胶获得与掩模图形相同的感光图片；

（
5
）
显影：
将曝光后的硅片浸泡在显影液中,
使正光刻胶的曝光部分和负光刻胶的
未曝光部分被溶解掉；

（
6
）
后烘干：
使残留在光刻胶中的有机溶剂完全挥发掉,
提高光刻胶和硅片的粘接
性及光刻胶的耐腐蚀性；

（
7
）腐蚀：以复制在光刻胶上图形作为掩膜,对下层材料进行腐蚀,将图形复制到
下层材料中；

（
8
）去胶：除去光刻胶.

如何定义晶体管串并联等效增益因子什么是晶体管串并联最坏工作情况请问电阻的串并联的等效电阻如何计算及公式? 如何理解晶体管工作在放大区时可以等效为一电流源电容串并联的等效值计算方法是什么简单串并联电路求等效电阻如何制作增益天线晶体管单管放大电路,电阻的串并联关系等效氢定义 ansys/ls-dyna中接触刚度,惩罚因子如何定义,又如何选择? 如何判断电阻的串并联另外请问如何判断串并联速度增益定义速度增益的定义到底是什么呀?计算公式呢, 对称因子如何计算等效平衡的定义是什么? 晶体管~对于NPN）为什么在发射极电阻两端接个电容就能增大电压增益,而在集电极电阻两端就减少增益晶体管~对于NPN（E接地）为什么在发射极电阻两端接个电容就能增大电压增益,而在集电极电阻两端就减少增益如何画等效电路图,